Тарасик Мария Иосифовна

 

Старший научный сотрудник

 

Занимаемая должность: старший научный сотрудник НИЛ энергоэффективных материалов и технологий.

Степень, ученое звание: кандидат физико-математических наук.

Контактная информация: комната 532, тел. 209-55-43, mailto: tarasik@bsu.by.

Научные интересы: влияние радиационного воздействия на параметры полупроводников; влияние упругих одноосных деформаций на электрофизические свойства полупроводников; применение радиационного воздействия в технологии полупроводниковых материалов и приборов; рекомбинационные процессы в полупроводниках.

Некоторые публикации:

  1. Modification of electrical properties of CdSxSe1-x films by hard irradiation and nanostructuring / A.M. Saad, A.K. Fedotov, A.V. Mazanik, M.I. Tarasik, A.M. Yanchenko, A.S. Posedko, L.Y. Survilo, Yu.V. Trofimov, N.F. Kurilovich // Thin Solid Films. - 2005. - Vol. 487. - P. 202 - 204;

  2. Investigation of structure and carrier recombination in TlGaSe2 layered crystals / V. Grivickas, V. Bikbajevas, M.I. Tarasik, A.K. Fedotov // Lithuanian Journal of Physics. - 2006. - Vol. 46. - № 1. - P.67 -72;

  3. Formation of nanotubes in Cz Si wafers using He+ implantation and subsequent O+- or N+-plasma treatment / A.V. Frantskevich, A.M. Saad, N.V. Frantskevich, A.K. Fedotov, A.V. Mazanik, M.I. Tarasik, A.M. Yanchenko, P. Wegierek, P. Zukowski // Vacuum. - 2009. - Vol. 83. - P. S103 - S106.

Дополнительная информация: родилась 2 сентября 1947 года в д. Большие Шестаки Дятловского района Гродненской области.

В 1972 году окончила физический факультет Белорусского государственного университета.

Работала младшим научным сотрудником, старшим научным сотрудником кафедры физики полупроводников и кафедры энергофизики.

В 1982 году защитила кандидатскую диссертацию на тему: «Рекомбинация на дефектах структуры в кремнии и германии при одноосном давлении».

Имеет свыше 100 научных работ по физике полупроводников.

 

 

Русский