| Слободянюк А.И. | Гулаков И.Р. | Буров Л.И. | Жолнеревич И.И. | Капуцкая И.А. | Кембровская Н.Г. | Кузовков П.В. | Медведь И.Н. | Солодухин И.А. | Трофимова А.В. | Филипп А.Р. | Жолнеревич И.И. | Онищенко А.А. | Филиппенко О.С. | Чертко Н.В. | Беляй Л.В. | Бутько А.И. | Дударев И.А. | Ларькина Е.П. | Мазак М.В. | Шибалко Л.В. | Шутько И.Е. | Бутримович О.В. | Данькова И.А. |
Фотография

Горбачук Николай Иванович

Занимаемая должность:доцент
Степень, ученое звание:кандидат физико-математических наук (2002); доцент (2006)
Контактная информация: :комната 536   телефон (+375-17)209-51-10, в. 62-46     e-mail gorbachuk@bsu.by
Краткая биография:Родился 5 апреля 1969 г. в деревне Вулька-Радовецкая Дрогичинского района Брестской области. В 1993 окончил физический факультет Белорусского государственного университета и в том же году поступил в аспирантуру БГУ. На кафедре физики полупроводников и наноэлектроники работает с 1997 г. младшим научным сотрудником, научным сотрудником, ассистентом, старшим преподавателем. С 2004 г. — доцент. В 2002 г. защитил кандидатскую диссертацию "Низкочастотная электропроводность и парамагнитный резонанс связанных кластеров в гетерогенных системах".

Член методической комиссии физического факультета.
Заместитель декана по учебной и методической работе.
Читаемые курсы: Преподаваемые дисциплины

1. Введение в физику наноструктур
http://elib.bsu.by/handle/123456789/186281;
2. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках
http://elib.bsu.by/handle/123456789/181952;
3. Физика наноструктурированных систем
http://elib.bsu.by/handle/123456789/181949;
4. Избранные главы физики и техники полупроводников
http://elib.bsu.by/handle/123456789/230015;
5. Физика полупроводниковых приборов
http://elib.bsu.by/handle/123456789/184528;
6.Неравновесные электронные процессы
http://elib.bsu.by/handle/123456789/230701.
Научная работа: Основные результаты

Опубликовано более 90 научных работ, в том числе 17 статей в научных журналах, 44 статьи в сборниках научных трудов и материалах научных конференций, 1 патент, 4 учебных пособия. В 2002 присуждена Стипендия Президента Республики Беларусь для молодых ученых, кандидатов наук.

Область научной деятельности: физика полупроводников и полупроводниковых приборов, физика гетерогенных систем.

В гетерогенных системах сажа/полиэтилен, C/SiO2, Si/SiO2, ксерогелях LiCl/SiO2 c концентрацией электропроводящей фазы близкой к пороговой для перехода диэлектрик–металл обнаружены электрические и парамагнитные эффекты, обусловленные изменением локальной электропроводности участков перколяционного кластера и взаимодействием матрицы с углеродными и кремниевыми кластерами; разработана феноменологическая модель связанных кластеров, позволяющая объяснить размытый переход диэлектрик-металл в гетерогенных системах, а также коррелированное с ним увеличение параметра асимметрии линии ЭПР парамагнитных центров углеродных кластеров. Полученные результаты позволили сформулировать физические принципы создания на основе гетерогенных сред высокочувствительных резистивных датчиков.

Основные результаты за последние пять лет:

Показано, что индуктивность в облученных электронами диодах с p+n-переходом определяется процессами захвата инжектированных в базу диода дырок и их удержания в течение времени порядка полупериода синусоидального сигнала на центрах прилипания, роль которых выполняют А-центры.

Установлено, что перколяционный переход металл-диэлектрик в иплантированном кобальтом полиимиде сопровождается инверсией знака реактивного импеданса.

Показано, что облучение зерен природного алмаза типа IIa в атомном реакторе флюенсом »1021 cm-2 нейтронов приводит к радиационной престройке структуры, сопровождающейся появлением внутренних нанополостей и переходом в электропроводящее состояние (энергия активации электропроводимости 0.17 эВ).

Показано, что облучение диодов ионами золота при дозе 108 см–2 приводит к формированию квазисплошного слоя радиационных дефектов, обеспечивающего лучшее, по сравнению с диодами, облученными электронами, сочетание таких характеристик, как время восстановления обратного сопротивления и прямое падение напряжения.

Применительно к композиционным материалам и барьерным структурам микроэлектроники развиты методики импедансной спектроскопии, отражены в курсе лекций.
Основные публикации: Учебные и методические издания

1. Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: Учебное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”/ Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Т.М. Лапчук, Д.А. Кириленко. —Мн.: Белгосуниверситет, 1997. —61 с. (N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, T.M. Lapchuk, D.A. Kirilenko. AC capacitance and electrical conductivity of semiconductor structures.— Minsk: BSU, 1997.— 61 p. [in Russian])
2. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Методические указания по структуре и оформле-нию дипломных и курсовых работ. —Мн.: БГУ, 2003.— 48 с. (N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk. Methodological guide to the structure and design of graduation and yearly works.— Minsk: BSU, 2003.— 48 p. [in Russian])
3. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Лапчук Н.М. Физика электрического контакта ме-талл/полупроводник: Учебное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводни-ковых приборов”. —Мн.: БГУ, 2003.— 51 с. (N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, N.M. Lapchuk. Physics of metal-to-semiconductor electrical contact.— Minsk: BSU, 2003.— 51 p. [in Russian])
4. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Основы импедансной спектроскопии композитов: курс лекций. —Мн.: БГУ, 2005. — 130 с. (N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk. Fundamen-tals of impedance spectroscopy of composites.— Minsk: BSU, 2005.— 130 p. [in Rus-sian])
5. Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах: пособие / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, А.И. Сягло, С.В. Шпаковсикй. —Мн.: БГУ, 2009. — 103 с. [URL: elib.bsu.by/bitstream/123456789/1584/1/poklonski%2b%2b.pdf.] (N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, A.I. Siahlo, S.V. Shpakovski. Studying the transient processes in semiconductor structures Minsk: BSU, 2009.— 103 p. [in Russian])

Статьи в научных журналах

1. Гурин В.С., Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Колковский И.И. Влияние рентге-новского излучения на электропроводность поликристаллического иодида серебра // ЖТФ. —1996. —Т. 66, № 7. —С. 182—184. (Gurin, V.S., Poklonskii N.A., Gorbachuk N.I., Kolkovskii I.I. Effect of x rays on the electrical conductivity of polycrystalline silver iodide // Technical Physics. —1996. —V. 41, № 7. —С. 732—733.) [http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-26844483189&partnerID=MN8TOARS].
2. Горбачук Н.И., Поклонский Н.А., Потоцкий И.В. Композитные материалы на основе Si/SiO2, полученные золь–гель методом // Известия вузов. Материалы элек-тронной техники. —1998. —№ 2. —С. 26—28.
3. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электропроводность неоднородного перколяционного кластера в полимерном композите // Материалы, технологии, инструменты. —2001. —Т. 6, № 1. —С. 45—48.
4. Поклонский Н.А., Потоцкий И.В., Горбачук Н.И. Парамагнитные центры в золь–гель ксерогелях SiO2, введенные рентгеновским облучением // Неорганические ма-териалы. —2001. —Т. 37, № 5. —С. 577—582. (Poklonskii N.A., Pototskii I.V., Gor-bachuk N.I. X-ray-induced paramagnetic centers in SiO2 xerogels // Inorganic Materials. —2001. —V. 37, № 5. —P. 482—486.)[doi: 10.1023/A:1017528801182].
5. Поклонский Н.А., Лапчук Т.М., Горбачук Н.И. Измерение методом ЭСР размаг-ничивающего поля на поверхности металлических образцов // ЖПС. —2001. —Т. 68, № 4. —С. 419—422. (Poklonskii N.A., Lapchuk T.M., Gorbachuk N. I. Electron spin resonance measurements of a demagnetizing field on the surface metal samples // Journal of Applied Spectroscopy. —2001. —V. 68, № 4. —С. 543—547.) [doi: 10.1023/A:1012511517323].
6. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электронный парамагнитный резонанс перколяционных кластеров сажи в полимере // ЖПС. —2001. —Т. 68, № 5. —С. 594—598. (Poklonskii N.A., Gorbachuk N.I. Electron paramagnetic resonance of percolation soot clusters in polyethylene // Journal of Applied Spectroscopy. —2001. —V. 68, № 5. —P. 776—782.) [doi: 10.1023/A:1013233631167]
7. Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А. Влияние влагосодержания на элек-тропроводность ксерогелей SiO2/LiCl // Физика и химия стекла. —2001. —Т. 27, № 6. —С. 762—771. (Gorbachuk N.I., Gurin V.S., Poklonski N.A. Effect of the moisture content on the electrical conductivity of SiO2/LiCl xerogels // Glass Physics and Chemis-try. —2001. —V. 27, № 6. —P. 520—526.) [doi: 10.1023/A:1013246208529].
8. Электропроводность композиционных материалов на основе мелкодисперсного кремния вблизи перехода диэлектрик–металл / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, И.В. Потоцкий, Д.А. Трофимчук // Неорганические материалы. —2004. —Т. 40, № 11. —С. 1293—1298 (Electrical conductivity of composite materials based on fine-particle silicon near the metal–insulator transition / N.A. Poklonskii, N.I. Gorbachuk, I.V. Pototskii, D.A. Trofimchuk // Inorganic Materials. —2004. —V. 40, № 11. —P. 1133—1137) [doi: 10.1023/B:INMA.0000048209.93137.12]
9. Автоматизированный контроль инжектированного в базу заряда и времени вос-становления обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, А.А. Шандицев // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1.— 2005.— № 2.— С. 18—22.
10. Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением / Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук, В.А. Николаенко, И.В. Бачучин // ФТП.— 2005.— Т. 39, № 8.— С. 931—934. (Nanostructuring of crys-talline grains of natural diamond using ionizing radiation / N.A. Poklonski, T.M. Lap-chuk, N.I. Gorbachuk, V.A. Nikolaenko, I.V. Bachuchin // Semiconductors.— 2005.— V. 39, № 8.— P. 894—897.) [doi: 10.1134/1.2010681]
11. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+–n-переходов, облученных быстрыми электронами / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаков-ский, Н.И. Горбачук, С.Б. Ластовский // ФТП.— 2006.— Т. 40, № 7.— С. 824—828. (Negative capacitance (impedance of the inductive type) of silicon p+–n junctions irradi-ated with fast electrons / N. A. Poklonski, S. V. Shpakovski, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovskii // Semiconductors.— 2006.— V. 40, № 7.— P. 803—807.) [doi: 10.1134/S1063782606070128]
12. Magnetoresistive effect and impedance spectroscopy of Co-implanted polyimide / V. N. Popok, M. G. Lukashevich, N. I. Gorbachuk, V. B. Odzhaev, R. I. Khaibullin, I. B. Khaibullin // Physica status solidi (a).— 2006.— V. 203, № 7.— P.1545–1549. [doi: 10.1002/pssa.200563121]
13. Анализ форм линий электронного парамагнитного резонанса каменных углей / С. Мунхцэцэг, Н.А. Поклонский, А.В. Хомич, Н.И. Горбачук, Н.М. Лапчук // Вестник Бел. гос. ун-та, Сер. 1.— 2007.— № 3.— С. 49—55.
14. Формирование красящих комплексов в стеклах, окрашенных оксидами церия и титана / Е.Е. Трусова, Н.М. Бобкова, В.С. Гурин, Н.И. Горбачук // Стекло и керамика. — 2007. — № 10. — C. 13–15. (Formation of coloring complexes in glass colored with cerium and titanium oxides / E.E. Trusova, N.M. Bobkova, V.S. Gurin, N.I. Gor-bachuk // Glass and Ceramics. — 2007. — V. 64, № 9-10. — P. 346–348.) [doi: 10.1007/s10717-007-0086-4]
15. Electrical properties of silicon diodes with p+n junctions irradiated with 197Au+26 swift heavy ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, A.V. Petrov, S.B. Lastovskii, D. Fink, A. Wieck // Nucl. Instr. and Meth. B.— 2008.— V. 266, № 23.— P. 5007—5012. [doi: 10.1016/j.nimb.2008.09.001]
16. Моделирование тока в цепи «p+n-переход + резистор» и определение времени жизни неосновных носителей заряда / Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, А.П. Гардей, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, А.Т. Власов // Изв. НАНБ. Сер. физ.-мат. наук.— 2009.— № 2.— С. 82—93.
17. Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: the role of the distance the metallurgical p+n-junction-defect layer formed by 250 MeV krypton implantation / N.A. Poklonski,N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck // Physica B.— 2009.— V. 404, № 23-24.— P. 4667—4670. [doi: 10.1016/j.physb.2009.08.129].
18. Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, С.Б. Ластовский, A. Wieck // ФТП.— 2010.— Т. 44, № 3.— С. 397—401. (Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, S.B. Lastovskii, A. Wieck // Semiconduc-tors.— 2010.— V. 44, № 3.— С. 380—384.) . [doi: 10.1134/S1063782610030188].
19. Электропроводность пленочных композитов SiO2 – γ-Fe2O3 во влажном воздухе / А.В. Адакимчик, Н.И. Горбачук, М.И. Ивановская, Д.А. Котиков, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев, Ю.В. Сидоренко // Журн. физ. хим.— 2010.— Т. 84, № 4.— С. 773—778. (The dependence of the conductivity of SiO2–-Fe2O3 film composites on air humidity / A.V. Adakimchik, N.I. Gorbachuk, M.I. Ivanovskaya, D.A. Kotikov, M.G. Lukashevich, V.B. Odzhaev, Yu.V. Sidorenko // Russian Journal of Physical Chemistry A.— 2010.— V. 84, № 4.— P. 684—688.) [doi: 10.1134/S003602441004028X]
20. Impedance and barrier capacitance of silicon diodes implanted with high-energy Xe ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, S.B. Lastovskii, V.A. Skuratov, A. Wieck, V.P. Markevich // Microelectronics Reliability.— 2010.— V. 50, № 6.— P. 813—820. [doi: 10.1016/j.microrel.2010.02.007].
21. Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, A. Wieck // ЖТФ.— 2010.— Т. 80, № 10.— С. 74—82. (Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high–fluence electron irradiation / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, S.B. Lastovskii, A. Wieck // Technical Physics.— 2010.— V. 55, № 10.— С. 1463—1471.) [doi: 10.1134/S1063784210100117].
22. Импеданс композитов Si/SiO2 в окрестности порога протекания / Н.А. Поклон-ский, Н.И. Горбачук, Д. Алейникова // ФТТ.— 2011.— Т. 53, № 3.— С. 433—437. (Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Aleinikova D. Impedance of Si/SiO2 composites in the vicinity of the percolation threshold // Physics of the Solid State.— 2011.— V. 53, № 3.— P. 462—466.) [doi: 10.1134/S1063783411030231]
23. AC-Conductivity of Thin Polycrystalline Tin Dioxide Films / V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D.Wieck. // Acta Physica Polonica A.— 2011.— V. 119, № 2.— P. 146—147. . [URL: http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/119/a119z2p16. pdf]
24. Effect of fluences of irradiation with 107 MeV krypton ions on recovery charge of sili-con p+n-diodes / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, S.B. Lastovskii, V.A. Skuratov, A. Wieck, T. Kołtunovicz // Acta Physica Polo-nica A.— 2011.— V. 120, № 1.— P. 111—114. . [URL: przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/120/a120z1p28.pdf].
25. Оптическая спектроскопия поверхности нанопористых алмазных пленках / А.В. Хомич, М.В. Канзюба, И.И. Власов, В.Г. Ральченко, Н.И. Горбачук // ЖПС. —2011. —Т. 78, № 4. —С. 601—609. (Optical spectroscopy of the surface of nanoporous dia-mond films / A. V. Khomich, M. V. Kanzyuba, I. I. Vlasov, V. G. Ral’chenko and N. I. Gorbachuk // Journal of Applied Spectroscopy. —2011. —V. 78, № 4. —С. 563-571.) [doi: 10.1007/s10812-011-9499-5].
26. Impedance of Single-Walled Carbon Nanotube Fibers / V. K. Ksenevich, N. I. Gor-bachuk, N. A. Poklonski, V. A. Samuilov, M. E. Kozlov, A. D. Wieck // Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures.— 2012.— V.20, No 4-7.— P. 434-438. [DOI: 10.1080/1536383X.2012.655562]
27. Poklonski, N.A. Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, A.V. Ermakova, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck, T.N. Kołtunowicz // Przegląd Elektrotechniczny (Electrical Review).— 2012.— R. 88, № 7a.— P. 312—314. [URL: pe.org.pl/articles/2012/7a/71.pdf]
28. Current–voltage characteristic features of diodes irradiated with 170 MeV xenon ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Vo Quang Nha, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck, T.N. Kołtunowicz // Acta Physica Polonica A.— 2013.— Vol. 123, № 5.— P. 926—928. [URL: przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/123/a123z5p37.pdf]
29. Формирование радиационно-нарушенного слоя в базе кремниевых диодов с p+n-переходом при имплантации ионов золота с энергией 8,6 МэВ/нуклон / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, А.В. Ермакова, С.В. Шпаковский, В.А Филипеня, В.А. Скуратов, А.В. Петров, Е.Ю. Канюков, C. Trautmann, A. Wieck // Изв. НАНБ. Сер. физ.-мат. наук.— 2013.— № 1.— С. 101—105. [URL: csl.bas-net.by/xfile/v_fizm/2013/1/nd3f0w.pdf]
30. Поклонский, Н.А. Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Во Куанг Нья, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов // Вестник Бел. гос. ун-та, Сер. 1.— 2014.— № 1.— C. 15—19. [URL:elib.bsu.by/bitstream/123456789/113647/1/15-19.pdf]
31. Поклонский, Н.А. Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Во Куанг Нья, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, С.Б. Ластовский, В.А. Скуратов // Вестник Бел. гос. ун-та, Сер. 1.— 2014.— № 2.— C. 7—13. [URL:elib.bsu.by/bitstream/123456789/113543/1/vestnik_ser1_2-007-013.pdf]
32. Поклонский, Н.А. Спектры DLTS кремниевых диодов с p+–n-переходом, облученных высокоэнергетическими ионами криптона / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, Во Куанг Нья, Нгуен Тхи Тхань Бинь, В.А. Скуратов, A. Wieck // Известия вузов. Материалы элек-тронной техники.— 2014.— № 1.— C. 42—46. [URL: met.misis.ru/jour/article/download/18/14]. DLTS spectra of silicon diodes with p+–n-junction irradiated with high energy krypton ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, A.S. Turtsevich, S.V. Shvedov, Vo Quang Nha, Nguyen Thi Thanh Binh, V.A. Skuratov // Modern Electronic Materials.— 2016.— V. 2, № 2.— P. 48—51. [URL: sciencedi-rect.com/science/article/pii/S2452177916300494/pdfft?md5=750cb9b84073a04a0321ddbc3e55a3a2&pid=1-s2.0-S2452177916300494-main.pdf]
33. Методика оценки электропроводности небольших образцов каменного угля по их влиянию на сигнал спин-метки в резонаторе радиоспектрометра / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, О.Н. Поклонская, Н.И. Горбачук, А.И. Сягло // Приборы и методы измерений.— 2014.— № 2 (9).— С. 53—59. [URL: pimi.bntu.by/jour/article/download/80/80].
34. Электропроводность и структура лазерно-модифицированных пленок алмазоподобного углерода / А.Н. Чумаков, И.С. Никончук, Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, О.Н. Поклонская, В.Е. Обухов // Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук.— 2014.— № 4.— С. 72—75. [URL: csl.bas-net.by/xfile/v_fizm/2014/4/6mrbl.pdf]
35. Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Imped-ance of Silicon Diodes / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, Vo Quang Nha, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenya, V.A. Skuratov, T.N. Kołtunowicz, N. Kukharchyk, H.-W. Becker and A. Wieck // Acta Physica Polonica A.— 2015.— Vol. 128, № 5.— P. 891—893. [URL: przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/128/a128z5p20.pdf]
36. Влияние окислительного отжига на проводимость на переменном токе пленок диоксида олова / Адамчук Д. В., Ксеневич В. К., Горбачук Н. И. // Вестник Бел. гос. ун-та, Сер. 1.— 2015.— № 3.— C. 39—44. [URL: elib.bsu.by/bitstream/123456789/158750/1/39-44.pdf]
37. Ksenevich, V.K. Electrical properties of Carbon Nanotubes/WS2 Nanotubes (Nanoparticles) Hybrid Films / Ksenevich V.K., Gorbachuk N.I., Ho Viet, Shuba M.V., Kuzhir P.P., Maksimenko S.A., Paddubskaya A.G., Valusis G., Wieck A.D., Zak A., Tenne R. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics Nanosystems: Physics, Chem-istry, Mathematics. — 2016.— V. 7, № 1.— P. 37—43. [DOI: 10.17586/2220-8054-2016-7-1-37-43]
38. Адамчук, Д.В., Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова / Д.В. Адамчук, В.К. Ксеневич, Н.И. Горбачук, В.И. Шиманский // Приборы и методы измерений.— 2016.— Том 7, № 3.— C. 312–321. [URL: rep.bntu.by/bitstream/handle/data/26585/312%20-%20321.pdf?sequence=1&isAllowed=y]
39. Электропроводность на переменном токе гибридных пленок из углеродных и WS2-нанотрубок / В.К. Ксеневич, Н.И. Горбачук, Хо Вьет, М.В. Шуба, О.Г. Поддубская, Д.И. Юко // Журн. Белорус. гос. ун-та. Физика.—2017.— № 3.— С. 111–119 [URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/187602]
40. Non-linear Electrical Conductivity of Carbon Nanotubes/WS2 Nanotubes (Nanoparti-cles) Hybrid Films / V. K. Ksenevich, N. I. Gorbachuk, Ho Viet, M. V. Shuba, A. G. Pad-dubskaya, A. D. Wieck // Nonlinear Phenomena in Complex Systems.— 2017.— V. 20, №. 4.— P. 360 – 367. [URL: http://www.j-npcs.org/cgi-bin/test-pdf.php?text=../restricted/v20no4p360.pdf].
41. Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.— 2018.— Т. 9, № 2.— С. 130—141. [DOI 10.21122/2220-9506-2018-9-2-130-141]
42. Structure and Dielectric Properties of Bi0.80Gd0.20–xLaxFeO3 Multiferroics / I.I. Ma-koed, A.F. Ravinski, N.I. Gorbachuk, A.V. Pashchenko, N.A. Liedienov, A.A. Amirov, D.M. Yusupov, and K.I. Janushkevich // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics.— 2018.— Vol. 82, No. 5.— P. 570–573 [DOI: 10.3103/S1062873818050210].
43. Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного тран-зистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 3. – С. 253–262. (Gorbachuk N.I., Poklonski N.A., Marochkina Ya.N., Shpakovski S.V. Controlling of differential resistance of p–n-junctions of bipolar transistor in active mode by method of impedance spectroscopy. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 3, рр. 253–262 (in Russian). [DOI: 10.21122/2220-9506-2019-10-3-253-262])
44. Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 4. – С. 322–330. (N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, Ya.N. Marochkina, S.V. Shpakovski. Effect of hole extraction from the base region of a silicon p–n–p transistor on its reactive impedance]. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 4, рр. 322–330 (in Russian). [DOI: 10.21122/2220-9506-2019-10-4-322-330])

Статьи в сборниках материалов конференций

1. Hydrogen participation in transformation of nitrogen hold defects of natural diamond / N.A. Poklonski, N.M. Lapchuk, N.I. Gorbachuk, T.M. Lapchuk // Proc. of ADC/FCT-99 (Applied Diamond Conf. /Frontier Carbon Technol. Joint Conf. 1999), Tsukuba, Aug.31 — Sept.3, 1999 / AIST—Tsukuba Research Center. —Tsukuba, 1999. —P 450—453.
2. Bashun A.V., Gorbachuk N.I., Lapchuk N.M., Poklonski N.A. The features of paramag-netic nitrogen distribution in synthetic diamonds // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Review and Short Notes to Nanomeeting-99, Minsk, 17—21 May 1999 / Eds. V.E. Borisenko, A.V. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. —Singapore: World Scientific Publishing Co., 1999. —P. 163—165. [URL: http://ebooks.worldscinet.com/ISBN/9789812817990/preserved-docs/9789812817990_0035.pdf]
3. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Высокочувствительные резистивные датчики на основе неупорядоченных гетерогенных систем // "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления": Сб. материалов XIV научно-техн. конф. с участием зарубежных специалистов, Судак, 24–31 мая 2002 / Москов-ский государственный институт электроники и математики (Технический универси-тет); Под ред. В.Н. Азарова. —М., 2002. —С. 140—142.
4. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, A.V. Ermakova, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck, Influence of the submicron layer of the irradiation-induced defects on the capacitance of silicon pn-diodes // Physics, Chemistry and Application of Nanostruc-tures: Review and Short Notes to Nanomeeting-2011, Minsk, 24–27 May 2011 / Eds. V.E. Borisenko [et al.].— Singapore: World Scientific, 2011.— P. 543-546. [URL: http://ebooks.worldscinet.com/ISBN/9789814343909/preserved-docs/9789814343909_0128.pdf]

Патенты

1. Патент РБ № 3673, МПК6 G 01 T 1/02. Дозиметр поглощенной дозы ионизирующе-го излучения / Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А., Рахманов С.К., Стельмах В.Ф. Заявитель БГУ.— № 970691; заявл. 4.12.97; опубл. 30.12.2000 г. // Афiцыйны бюлетэнь. —2000. № 4(27). —С. 205. [URL:http://bypatents.com/3-3673-dozimetr-pogloshhennojj-dozy-ioniziruyushhego-izlucheniya.html]
2. Пат. 14221 Респ. Беларусь МПК (2009) H 01C 17/075, С 23С 16/22. Способ получения тонкопленочной резисторной структуры / Р.Н. Грицкевич, Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Е.П. Шпак. Заявитель Физ.-тех. ин-т НАНБ.— № а 20090606; заявл. 23.04.2009; опубл. 30.04.2011 // Афiцыйны бюл. Нац. цэнтр інтэлектуал. уласнасці.— 2011.— № 2(79).— С. 136. [URL: http://bypatents.com/5-14221-sposob-polucheniya-tonkoplenochnojj-rezistornojj-struktury.html]
3. Патент РБ № 15041 МПК (2009) G 01 N 27/02. Способ определения влажности окружающей среды / М.Г.Лукашевич, В.Б. Оджаев, Н.И. Горбачук, М.И. Ивановская, Д.А. Котиков, Ю.В. Сидоренко. Заявитель БГУ.— № а 20091775; заявл. 12.11.2009; опубл. 13.07.2011 // Афiцыйны бюл. Нац. цэнтр інтэлектуал. уласнасці.— 2011.— № 5(82).— С. 170. [URL:http://bypatents.com/3-15041-sposob-opredeleniya-vlazhnosti-okruzhayushhejj-sredy.html]



Дополнительно:Творческие контакты с коллегами из НИИ ФХП БГУ, ГНПО «Научно-практический центр национальной академии наук Беларуси по материаловедению», НПО «Интеграл», Объединенного института ядерных исследований, Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Рурского университета (Ruhr-Universitaet Bochum, Germany) и др.

Профили в различных наукометрических базах данных

Google Scholar
http://scholar.google.com/citations?user=2UNrEiIAAAAJ

Web
of Science
профиль
https://app.webofknowledge.com/author/#/record/1656383
Web of Science ResearcherID: AAA-3131-2020
профиль
https://publons.com/researcher/3310216/nikolai-i-gorbachuk/

Scopus
Scopus Author ID: 7003427861
профиль
https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=7003427861
ORCID
ID: 0000-0002-9396-8146
профиль
https://orcid.org/0000-0002-9396-8146

РИНЦ
РИНЦ AuthorID: 667947, SPIN-код: 6536-0765
профиль
https://elibrary.ru/author_profile.asp?id=667947


Ссылки на WEB ресурсы:http://scholar.google.com/citations?user=2UNrEiIAAAAJ
https://app.webofknowledge.com/author/#/record/1656383
https://publons.com/researcher/3310216/nikolai-i-gorbachuk/
https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=7003427861